O Transistor IGBT RJP63F3 da Xiaomi é uma peça essencial para diversas aplicações eletrônicas, oferecendo alta eficiência e desempenho confiável. Este transistor de canal N suporta uma corrente máxima de 40A e uma voltagem máxima de 630V, tornando-o ideal para projetos que exigem alta potência. Com homologação Anatel Nº:162222013478, garante qualidade e conformidade com os padrões brasileiros. A marca Original assegura a autenticidade e durabilidade do produto. O modelo TO220 facilita a integração em circuitos eletrônicos. Este transistor não é um kit e está em condição nova, pronto para uso imediato. Com uma potência máxima suportada de 1W, o RJP63F3 é a escolha perfeita para suas necessidades de alta tensão e corrente.
Conheça 5 Motivos Recomendados pela Essência Brasileira para Comprar:
1. Alta eficiência e desempenho confiável
2. Suporta corrente máxima de 40A e voltagem máxima de 630V
3. Homologação Anatel Nº:162222013478, garantindo qualidade e conformidade
4. Marca Original assegura autenticidade e durabilidade do produto
5. Modelo TO220 facilita integração em circuitos eletrônicos
– Sugestão de Uso:
Para utilizar o Transistor IGBT RJP63F3, certifique-se de seguir as especificações técnicas do produto. Integre-o em seus circuitos eletrônicos de alta potência, garantindo uma corrente máxima de 40A e uma voltagem máxima de 630V. Aproveite a alta eficiência e desempenho confiável que este transistor oferece em suas aplicações eletrônicas.
Usuário do Mercado Livre –
Muito bom produto funcionou perfeitamente.
Usuário do Mercado Livre –
Não é original e não suporta 630v entre coletor e emissor.