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Infineon Kit 2 Transistor Igbt K50eh5 Novo
O Kit 2 Transistor IGBT K50EH5 da Infineon é uma solução avançada para aplicações de potência. Com alta eficiência e capacidade de suportar altas tensões, este kit é ideal para sistemas de controle de motor, inversores e fontes de alimentação. Seus principais benefícios incluem: excelente desempenho térmico, rápida comutação, e confiabilidade em operações de alta carga. Além disso, a tecnologia IGBT proporciona menor dissipação de energia, resultando em economia e maior durabilidade dos componentes. É uma escolha perfeita para engenheiros que buscam inovação e eficiência em projetos eletrônicos.
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Descrição
Descrição do Produto: Infineon Kit 2 Transistor IGBT K50EH5 Novo
O Infineon Kit 2 Transistor IGBT K50EH5 é uma solução inovadora e de alta performance, projetada para atender às demandas de aplicações eletrônicas modernas. Este transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) é amplamente utilizado em diversos dispositivos, como placas de usinas, fontes de alimentação e sistemas de controle de potência. Com sua capacidade de suportar altas tensões e correntes, o K50EH5 se destaca pela eficiência e confiabilidade em ambientes exigentes.
Os transistores IGBT são essenciais em circuitos que requerem a conversão de energia, oferecendo uma combinação única de alta eficiência e baixa perda de energia. O K50EH5, em particular, é ideal para aplicações em inversores, acionamentos de motores e sistemas de energia renovável, como painéis solares e turbinas eólicas. Sua construção robusta e tecnologia avançada garantem um desempenho superior, mesmo nas condições mais desafiadoras.
1. Alta Eficiência Energética: O K50EH5 minimiza as perdas de energia, contribuindo para a sustentabilidade e redução de custos operacionais.
2. Versatilidade de Aplicação: Pode ser utilizado em uma ampla gama de dispositivos eletrônicos, desde fontes de alimentação até sistemas de automação industrial.
3. Confiabilidade: Projetado para suportar altas tensões e correntes, garantindo um funcionamento estável e duradouro.
4. Facilidade de Integração: O design do K50EH5 permite uma fácil integração em circuitos existentes, facilitando atualizações e manutenções.
5. Desempenho Superior: Com características técnicas avançadas, o transistor proporciona um desempenho excepcional em aplicações críticas.
Para utilizar o Infineon Kit 2 Transistor IGBT K50EH5, recomenda-se seguir as diretrizes de instalação e operação especificadas no manual do usuário. É importante garantir que o transistor esteja devidamente refrigerado, utilizando dissipadores de calor adequados para evitar superaquecimento. A conexão deve ser feita com atenção às polaridades e especificações de tensão, assegurando que o circuito esteja protegido contra sobrecargas. Para aplicações em inversores, ajuste os parâmetros de controle para otimizar a eficiência do sistema.
– Modelo: K50EH5
– Tipo: Transistor IGBT
– Tensão Máxima (Vce): 600V
– Corrente Máxima (Ic): 50A
– Temperatura de Operação: -40°C a +150°C
– Pacote: TO-247
– Características de Comutação Rápida: Ideal para aplicações que exigem alta frequência.
– Baixa Queda de Tensão: Reduz perdas durante a operação.
O Infineon Kit 2 Transistor IGBT K50EH5 é a escolha perfeita para quem busca qualidade e eficiência em suas aplicações eletrônicas. Não perca a oportunidade de aprimorar seus projetos com este componente de alta performance.
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Informação adicional
Marca | Infineon |
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Modelo | K50eh5 |
Código do transistor | K50eh5 |
Voltagem máxima suportada | 650V |
Corrente máxima suportada | 50 A |
Potência máxima suportada | 305 W |
É kit | Não |
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