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6 Peças Transistor Igbt Fet K10t60 K20t60 Irg4bc30kd Ir
Conjunto de 6 peças de Transistor IGBT FET K10T60, K20T60 e IRG4BC30KD IR. Esses transistores são ideais para aplicações de alta potência e eficiência, oferecendo excelente desempenho em comutação e baixa perda de energia. Com alta capacidade de corrente e tensão, garantem confiabilidade e durabilidade em circuitos eletrônicos. São perfeitos para uso em inversores, fontes de alimentação e sistemas de controle de motor, proporcionando maior eficiência e redução de custos operacionais.
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Descrição
Descrição do Produto: Transistor IGBT IRG4BC30KD
O Transistor IGBT IRG4BC30KD, fabricado pela Infineon, é uma peça fundamental para aplicações que exigem alta eficiência e desempenho em circuitos de potência. Com uma tensão máxima de coletor-emissor de 600V e uma corrente contínua do coletor de até 28A a 25ºC, este transistor é ideal para sistemas que operam em frequências ultra rápidas de 8 a 25kHz. Sua tecnologia de silício (Si) e a configuração de montagem em orifício de passagem (TO-220-3) garantem uma instalação prática e eficiente em diversas aplicações.
O IRG4BC30KD se destaca por sua baixa tensão de saturação do coletor-emissor, que é de apenas 2,21V, permitindo uma operação mais eficiente e reduzindo a dissipação de potência, que é de até 100W. Com uma ampla faixa de temperatura operacional, que varia de -55ºC a +150ºC, este transistor é robusto e confiável, adequado para ambientes desafiadores. A corrente de dispersão do gate-emissor é de apenas 100nA, o que contribui para um controle preciso e eficiente do dispositivo.
1. Alta Eficiência Energética: O IRG4BC30KD proporciona uma operação eficiente, reduzindo o consumo de energia em aplicações industriais e comerciais.
2. Versatilidade de Aplicação: Ideal para inversores, controladores de motor e sistemas de energia renovável, atendendo a diversas necessidades do mercado.
3. Robustez em Condições Extremas: Com uma ampla faixa de temperatura operacional, o transistor é perfeito para ambientes adversos, garantindo durabilidade e confiabilidade.
4. Fácil Instalação: O design em TO-220-3 permite uma montagem simples e rápida, facilitando a integração em projetos eletrônicos.
5. Desempenho Superior em Alta Frequência: A capacidade de operar em frequências de 8 a 25kHz torna este transistor ideal para aplicações que exigem resposta rápida e eficiência.
Para utilizar o Transistor IGBT IRG4BC30KD, recomenda-se seguir as diretrizes de instalação e operação. Primeiro, verifique a compatibilidade do circuito com as especificações do transistor. Em seguida, conecte o coletor, emissor e gate conforme o esquema do circuito. É importante garantir que a dissipação de calor seja adequada, utilizando um dissipador de calor se necessário, para manter a temperatura operacional dentro dos limites especificados. Monitore a tensão e a corrente durante a operação para evitar sobrecargas que possam danificar o dispositivo.
– Fabricante: Infineon Technologies
– Tipo de Produto: Transistores IGBT
– Tensão Máxima do Coletor – VCEO: 600 V
– Corrente Contínua do Coletor: 28 A
– Dissipação de Potência: 100 W
– Temperatura Operacional: -55ºC a +150ºC
– Tensão de Saturação do Coletor – Emissor: 2,21 V
– Configuração: Sozinho
– Estilo de Montagem: Orifício de passagem (TO-220-3)
– Corrente de Dispersão do Gate – Emissor: 100 nA
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Informação adicional
Marca | Original |
---|---|
Modelo | TO220 |
Código do transistor | 9N60 |
Formato de venda | Kit |
Unidades por kit | 6 |
Voltagem máxima suportada | 600V |
Corrente máxima suportada | 9 A |
É kit | Sim |
Cliente Essência Brasileira –
Funcionando perfeitamente.
Cliente Essência Brasileira –
Atende as especificações técnicas.