6 Peças Transistor Igbt Fet K10t60 K20t60 Irg4bc30kd Ir

(2 avaliação de clientes)
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Conjunto de 6 peças de Transistor IGBT FET K10T60, K20T60 e IRG4BC30KD IR. Esses transistores são ideais para aplicações de alta potência e eficiência, oferecendo excelente desempenho em comutação e baixa perda de energia. Com alta capacidade de corrente e tensão, garantem confiabilidade e durabilidade em circuitos eletrônicos. São perfeitos para uso em inversores, fontes de alimentação e sistemas de controle de motor, proporcionando maior eficiência e redução de custos operacionais.

Marca: Original

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Descrição

Descrição do Produto: Transistor IGBT IRG4BC30KD

O Transistor IGBT IRG4BC30KD, fabricado pela Infineon, é uma peça fundamental para aplicações que exigem alta eficiência e desempenho em circuitos de potência. Com uma tensão máxima de coletor-emissor de 600V e uma corrente contínua do coletor de até 28A a 25ºC, este transistor é ideal para sistemas que operam em frequências ultra rápidas de 8 a 25kHz. Sua tecnologia de silício (Si) e a configuração de montagem em orifício de passagem (TO-220-3) garantem uma instalação prática e eficiente em diversas aplicações.

O IRG4BC30KD se destaca por sua baixa tensão de saturação do coletor-emissor, que é de apenas 2,21V, permitindo uma operação mais eficiente e reduzindo a dissipação de potência, que é de até 100W. Com uma ampla faixa de temperatura operacional, que varia de -55ºC a +150ºC, este transistor é robusto e confiável, adequado para ambientes desafiadores. A corrente de dispersão do gate-emissor é de apenas 100nA, o que contribui para um controle preciso e eficiente do dispositivo.

Benefícios Destacados pela Essência Brasileira:

1. Alta Eficiência Energética: O IRG4BC30KD proporciona uma operação eficiente, reduzindo o consumo de energia em aplicações industriais e comerciais.
2. Versatilidade de Aplicação: Ideal para inversores, controladores de motor e sistemas de energia renovável, atendendo a diversas necessidades do mercado.
3. Robustez em Condições Extremas: Com uma ampla faixa de temperatura operacional, o transistor é perfeito para ambientes adversos, garantindo durabilidade e confiabilidade.
4. Fácil Instalação: O design em TO-220-3 permite uma montagem simples e rápida, facilitando a integração em projetos eletrônicos.
5. Desempenho Superior em Alta Frequência: A capacidade de operar em frequências de 8 a 25kHz torna este transistor ideal para aplicações que exigem resposta rápida e eficiência.

– Sugestão de Uso:

Para utilizar o Transistor IGBT IRG4BC30KD, recomenda-se seguir as diretrizes de instalação e operação. Primeiro, verifique a compatibilidade do circuito com as especificações do transistor. Em seguida, conecte o coletor, emissor e gate conforme o esquema do circuito. É importante garantir que a dissipação de calor seja adequada, utilizando um dissipador de calor se necessário, para manter a temperatura operacional dentro dos limites especificados. Monitore a tensão e a corrente durante a operação para evitar sobrecargas que possam danificar o dispositivo.

Características do Produto:

Fabricante: Infineon Technologies
Tipo de Produto: Transistores IGBT
Tensão Máxima do Coletor – VCEO: 600 V
Corrente Contínua do Coletor: 28 A
Dissipação de Potência: 100 W
Temperatura Operacional: -55ºC a +150ºC
Tensão de Saturação do Coletor – Emissor: 2,21 V
Configuração: Sozinho
Estilo de Montagem: Orifício de passagem (TO-220-3)
Corrente de Dispersão do Gate – Emissor: 100 nA

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Informação adicional

Marca

Original

Modelo

TO220

Código do transistor

9N60

Formato de venda

Kit

Unidades por kit

6

Voltagem máxima suportada

600V

Corrente máxima suportada

9 A

É kit

Sim

2 avaliações para 6 Peças Transistor Igbt Fet K10t60 K20t60 Irg4bc30kd Ir

  1. Cliente Essência Brasileira

    Funcionando perfeitamente.

  2. Cliente Essência Brasileira

    Atende as especificações técnicas.

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