Xiaomi Transistor Fet Mosfet Irf640 (4 Peças) Irf 640 Irf-640
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Marca: Xiaomi

Xiaomi Transistor Fet Mosfet Irf640 (4 Peças) Irf 640 Irf-640

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EAN: 00024613931063 SKU: E9123987 Categoria: Tag:

Transistor IRF640 (4 Peças) IRF6 RF640 F640

* IRF640 MOSFET

* Channel: N (Pd): 125 W |Vds|: 200 V |Vgs|: 20 V

* |Vgs (th)|: 4 V |Id|: 18 A (Tj): 150 °C

* (Qg): 55 nC (Cd): 2100 pF (Rds): 0.18 Ohm

* MOS FET Canal N Uso diverso

* Equiv. BUZ30A

Este kit contém 4 peças do transistor IRF640, ideal para diversas aplicações eletrônicas. Com homologação Anatel Nº:2352012156, garante qualidade e confiabilidade. Este transistor MOSFET de canal N suporta uma corrente máxima de 18 A e uma potência máxima de 125 W, com uma voltagem máxima de 200 V. O modelo TO220 é conhecido por sua eficiência e durabilidade. A resistência Rds é de apenas 0.18 Ohm, garantindo baixa dissipação de energia. Este produto é novo e original, perfeito para projetos que exigem alta performance. Equivalente ao BUZ30A, é uma excelente escolha para suas necessidades eletrônicas.

Informação adicional

Marca

Xiaomi
Modelo

TO220
Código do transistor

IRF-640
Formato de venda

Unidade
Voltagem máxima suportada

200V
Corrente máxima suportada

18 A
Potência máxima suportada

1 W

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