Esses transistores de efeito de campo de potência no modo de aprimoramento de canal N são produzidos usando a tecnologia DMOS de faixa planar proprietária da Fairchild.
Esta tecnologia avançada foi especialmente adaptada para minimizar a resistência no estado ligado, fornecer desempenho de comutação superior e suportar pulsos de alta energia nos modos de avalanche e comutação. Esses dispositivos são adequados para fontes de alimentação comutadas de alta eficiência, correção de fator de potência ativa e reatores de lâmpadas eletrônicos baseados em topologia de meia ponte.
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