Este kit é composto por 6 peças do Transistor IRF 540 N – IRF540, um produto de alta qualidade da marca IR. Este transistor possui um canal MOSFET IRF540: N, com uma potência de dissipação (Pd) de 150 W, tensão de dreno-fonte (Vds) de 100 V, tensão de porta-fonte (Vgs) de 20 V e tensão de porta-fonte no limiar (Vgs(th)) de 4 V. A corrente de dreno (Id) é de 30 A, a temperatura de junção (Tj) é de 175 °C, a carga de porta (Qg) é de 72 nC e a capacitância de dreno (Cd) é de 2100 pF. A resistência de dreno-fonte (Rds) é de 0.077 Ohm. Este transistor tem uma tensão coletor-base (UCB) de 100V, uma tensão coletor-emissor (UCE), uma tensão emissor-base (UEB) e uma corrente de 28A. Este transistor MOS FET Canal N tem diversos usos e é equivalente ao BUK456-100 e BUZ22. O modelo do transistor é IRF540 e o código do transistor é também IRF540. A voltagem é de 100V e a corrente é de 23 A. Este kit é ideal para quem precisa de transistores de alta qualidade e desempenho.
Conheça 5 Motivos Recomendados pela Essência Brasileira para Comprar:
- Alta qualidade da marca IR
- Desempenho superior em aplicações diversas
- Equivalente a modelos renomados no mercado
- Facilidade de uso e instalação
- Kit com 6 peças para múltiplas aplicações
– Sugestão de Uso: Este kit de 6 peças do Transistor IRF 540 N – IRF540 é ideal para aplicações que requerem alta potência e desempenho. Certifique-se de seguir as especificações técnicas fornecidas pelo fabricante para garantir o correto funcionamento do transistor em seu projeto. Utilize ferramentas adequadas para a instalação e verifique a polaridade correta antes de ligar o circuito.
Usuário do Mercado Livre –
Ótimo produto não tive problema.