Xiaomi Transistor Bipolar 2n5551 (10 Peças) 2n 5551 N5551

O Transistor Bipolar 2n5551 da Xiaomi é um componente eletrônico de alta qualidade e desempenho. Com formato TO92 e embalagem com 10 peças, o 2N 5551 N5551 é do tipo NPN e possui potência de 0.31 W. Com tensão coletor-base (Vcb) de 180 V, tensão coletor-emissor (Vce) de 160 V e tensão emissor-base (Veb) de 6 V, este transistor suporta uma corrente máxima (Ic max) de 0.6 A. Feito de silício, é ideal para aplicações de saída de vídeo, com ganho de corrente contínua (HFE) de 80/250, potência de 310mW e frequência de transição (Ft) de 100MHz. Sua capacidade coletor (CC) é de 6 e a temperatura de junção (TJ) é superior a 135°C. Equivalente a BF391…393, BFP 22, MPSA42…43, o Transistor 2N5551 da Xiaomi é uma excelente escolha para projetos eletrônicos que demandam alta performance e confiabilidade.

Conheça 5 Motivos Recomendados pela Essência Brasileira para Comprar:

1. Alta qualidade e desempenho
2. Compatibilidade com aplicações de saída de vídeo
3. Ganho de corrente contínua elevado
4. Embalagem com 10 peças, ideal para projetos maiores
5. Equivalente a outros transistores populares no mercado

– Sugestão de Uso:

Para utilizar o Transistor Bipolar 2n5551 da Xiaomi, certifique-se de seguir corretamente as especificações técnicas fornecidas. Este componente é ideal para aplicações de saída de vídeo, garantindo um desempenho estável e confiável. Certifique-se de respeitar as tensões e correntes máximas suportadas, bem como a temperatura de junção recomendada para evitar danos ao dispositivo.